'HBM 혁신 주역' KAIST 김정호·SK하이닉스 이강욱, 강대원상 수상

김정호 KAIST 교수

김정호 KAIST 교수

고대역폭메모리(HBM) 개발에 기여한 김정호 KAIST 교수와 이강욱 SK하이닉스 부사장이 ‘강대원상(賞)’을 수상했다. 강대원상은 현대 반도체 기술 혁신에 신기원을 이룩한 고(故) 강대원 박사를 기리기 위해 제정한 상이다.

한국반도체학술대회 상임운영위원회는 ‘2025년 강대원 상’ 수상자로 회로·시스템 분야에서 김 교수를, 소자·공정 분야에선 이 부사장을 선정했다고 12일 밝혔다.

김정호 KAIST 교수는 ‘HBM의 아버지’로 불리는 인공지능(AI) 반도체 분야 권위자다. 20년 이상 HBM 관련 설계 기술 개발을 주도해 왔으며 2010년부터는 상용화 설계에 직접 참여했다. 지난해 6월 삼성전자와 공동으로 KAIST에 ‘시스템아키텍트대학원’을 설립, AI 반도체 고급 전문 인력 양성에 힘쓰고 있다. 국제전기전자공학자학회(IEEE) 석학회원(펠로우)인 김 교수는 KAIST 학술상, KAIST 연구대상, KAIST 국제협력상, IEEE 기술 업적상 등을 수상한 바 있으며 여러 국제학회에서 20여 차례에 걸쳐 ‘최고 논문상’을 받았다.

이강욱 SK하이닉스 부사장

이강욱 SK하이닉스 부사장

 
이강욱 SK하이닉스 부사장은 반도체 패키징 분야 전문가다. 이 부사장이 개발한 TSV를 활용한 3차원 적층·집적화 기술 개념은 현재 반도체 업계의 화두인 이종결합 기술의 근간으로 평가 받는다. 이 부사장이 국제전자소자학회(IEDM)에서 발표한 반도체 혁신 기술은 소니·삼성의 고성능 스마트폰 및 차량용 제품과 서버용 메모리 모듈, HBM 제품으로 상용화됐다. 2019년 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF)이라는 패키징 신기술을 성공적으로 도입해 SK하이닉스가 HBM 시장에서 우위를 선점, 글로벌 리더로 도약하는 데 중요한 역할을 했다.

한국반도체학술대회 상임운영위원회는 세계적인 반도체 연구자인 강대원 박사의 업적을 재조명하기 위해 2017년 상을 처음 제정했다. 강 박사는 미국 벨연구소에 입사해 1960년 이집트 출신 아탈라 박사와 트랜지스터 모스펫(MOS-FET)을 개발, 현대 반도체 기술의 핵심 토대를 마련했다. 또 플래시메모리 근간인 플로팅게이트를 세계 최초로 개발하기도 했다. 시상식은 13일 오후 강원도 하이원그랜드호텔에서 한국반도체산업협회·한국반도체연구조합·DB하이텍이 공동 개최하는 ‘제32회 한국반도체학술대회(KCS 2025)’ 개막식에서 진행된다.